Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētas shēmas (IC) > Atmiņa > TH58BYG2S3HBAI6
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6754198TH58BYG2S3HBAI6 attēlsToshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI6

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$6.16
10+
$5.623
25+
$5.516
50+
$5.478
100+
$4.914
338+
$4.895
676+
$4.59
1014+
$4.394
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    TH58BYG2S3HBAI6
  • Ražotājs / zīmols
    Kioxia America, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • ECAD modelis
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    25ns
  • Spriegums - piegāde
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloģija
    FLASH - NAND (SLC)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Sērija
    Benand™
  • Iepakojums
    Tray
  • Iepakojums / lieta
    67-VFBGA
  • Citi vārdi
    TH58BYG2S3HBAI6JDH
    TH58BYG2S3HBAI6YCL
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Non-Volatile
  • Atmiņas izmērs
    4Gb (512M x 8)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    FLASH
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Piekļuves laiks
    25ns

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “TH58BYG2S3HBAI6” saistītie produkti.
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

Apraksts: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Apraksts: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Apraksts: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

Apraksts: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Apraksts: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

Apraksts: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH513F45GBSN

TH513F45GBSN

Apraksts: THERMISTOR NTC 1.3MOHM AXIAL

Ražotāji: Advanced Sensors / Amphenol
Noliktavā
RFQ
TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

Apraksts: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

Apraksts: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH513J45GBSN-E

TH513J45GBSN-E

Apraksts: THERMISTOR NTC 1.3MOHM AXIAL

Ražotāji: Advanced Sensors / Amphenol
Noliktavā
RFQ
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

Apraksts: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH510J44GBSN

TH510J44GBSN

Apraksts: THERMISTOR NTC 1MOHM 4491K AXIAL

Ražotāji: Advanced Sensors / Amphenol
Noliktavā
RFQ
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Apraksts: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Apraksts: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

Apraksts: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

Apraksts: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Apraksts: 4G SLC NAND BGA 24NM

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Apraksts: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TH513J45GBSN

TH513J45GBSN

Apraksts: THERMISTOR NTC 1.3MOHM AXIAL

Ražotāji: Advanced Sensors / Amphenol
Noliktavā
RFQ
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

Apraksts: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.