Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētas shēmas (IC) > Atmiņa > TC58BVG1S3HBAI6
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4106655TC58BVG1S3HBAI6 attēlsToshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$3.95
10+
$3.58
25+
$3.502
50+
$3.483
100+
$3.124
338+
$3.112
676+
$2.997
1014+
$2.85
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    TC58BVG1S3HBAI6
  • Ražotājs / zīmols
    Kioxia America, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    TC58BVG1S3HBAI6.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    25ns
  • Spriegums - piegāde
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloģija
    FLASH - NAND (SLC)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Sērija
    Benand™
  • Iepakojums
    Tray
  • Iepakojums / lieta
    67-VFBGA
  • Citi vārdi
    TC58BVG1S3HBAI6JDH
    TC58BVG1S3HBAI6YCL
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Non-Volatile
  • Atmiņas izmērs
    2Gb (256M x 8)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    FLASH
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Piekļuves laiks
    25ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “TC58BVG1S3HBAI6” saistītie produkti.
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Apraksts: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Apraksts: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Apraksts: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

Apraksts: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Apraksts: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Apraksts: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Apraksts: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Apraksts: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Apraksts: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Apraksts: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC573002ECTTR

TC573002ECTTR

Apraksts: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology
Noliktavā
RFQ
TC57

TC57

Apraksts: CAP ALUM 30UF 250V AXIAL

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6

Apraksts: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC573302ECTTR

TC573302ECTTR

Apraksts: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology
Noliktavā
RFQ
TC572502ECTTR

TC572502ECTTR

Apraksts: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology
Noliktavā
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Apraksts: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Apraksts: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58

TC58

Apraksts: CAP ALUM 40UF 250V AXIAL

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

Apraksts: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
TC58BVG0S3HBAI4

TC58BVG0S3HBAI4

Apraksts: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Ražotāji: Toshiba Memory America, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.