Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > US1M R3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
353764US1M R3G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

US1M R3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1800+
$0.087
3600+
$0.075
5400+
$0.068
12600+
$0.06
45000+
$0.057
90000+
$0.05
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    US1M R3G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    US1M R3G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.7V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1000V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    75ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    US1M R3GTR
    US1M R3GTR-ND
    US1MR3GTR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    23 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “US1M R3G” saistītie produkti.
US1M-M3/5AT

US1M-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1KHM2G

US1KHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1M-E3/61T

US1M-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1KHE3/5AT

US1KHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1KSAFS-13

US1KSAFS-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FS

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1KHR3G

US1KHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1M-M3/61T

US1M-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1KFA

US1KFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1M M2G

US1M M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1K-TP

US1K-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1KHE3/61T

US1KHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1MDFQ-13

US1MDFQ-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1KHE3_A/H

US1KHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1M-13-F

US1M-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1MDF-13

US1MDF-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1M-TP

US1M-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1KHE3_A/I

US1KHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1M/1

US1M/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1M-13

US1M-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.