Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > S4J M6G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
725990S4J M6G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

S4J M6G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6000+
$0.141
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    S4J M6G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    S4J M6G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.15V @ 4A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AB (SMC)
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    1.5µs
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AB, SMC
  • Citi vārdi
    S4J M6G-ND
    S4JM6G
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    100µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    4A
  • Ietilpība @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “S4J M6G” saistītie produkti.
RB751G-40T2R

RB751G-40T2R

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA VMD2

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S4J R7G

S4J R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
VS-4EWH02FNTRR-M3

VS-4EWH02FNTRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5291-1

1N5291-1

Apraksts: CURRENT REGULATOR DIODE

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
LSM315GE3/TR13

LSM315GE3/TR13

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 15V 3A DO215AB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S4J V7G

S4J V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
GSXD300A170S2D5

GSXD300A170S2D5

Apraksts: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
SK520CHR7G

SK520CHR7G

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BAS34-TR

BAS34-TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
S4J V6G

S4J V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
SR1202HA0G

SR1202HA0G

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 20V 12A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RSX205LAM30TFTR

RSX205LAM30TFTR

Apraksts: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SCHF7500

SCHF7500

Apraksts: DIODE GEN PURP 7.5KV 500MA AXIAL

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
VIT3060G-M3/4W

VIT3060G-M3/4W

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO262AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5551

JANTXV1N5551

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
RS2DHE3_A/I

RS2DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
CS2K-E3/I

CS2K-E3/I

Apraksts: DIODE GPP 2A 800V DO-214AA SMB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-72HFR10

VS-72HFR10

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.