Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > ESH2BA M2G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2751343ESH2BA M2G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH2BA M2G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
15000+
$0.119
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ESH2BA M2G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ESH2BA M2G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    900mV @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    100V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    25ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    ESH2BA M2G-ND
    ESH2BAM2G
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ESH2BA M2G” saistītie produkti.
ESH228M035AM7AA

ESH228M035AM7AA

Apraksts: CAP ALUM 2200UF 20% 35V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH2BHE3_A/H

ESH2BHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH2B-M3/52T

ESH2B-M3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH2B R5G

ESH2B R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ESH2C-E3/52T

ESH2C-E3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH2BA R3G

ESH2BA R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ESH2B-E3/52T

ESH2B-E3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH2BHE3_A/I

ESH2BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH2C-M3/5BT

ESH2C-M3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH228M025AM7AA

ESH228M025AM7AA

Apraksts: CAP ALUM 2200UF 20% 25V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH2BHE3/5BT

ESH2BHE3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH228M050AM3AA

ESH228M050AM3AA

Apraksts: CAP ALUM 2200UF 20% 50V T/H

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH2B-M3/5BT

ESH2B-M3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH227M050AH2AA

ESH227M050AH2AA

Apraksts: CAP ALUM 220UF 20% 50V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH2C-M3/52T

ESH2C-M3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH2B-E3/5BT

ESH2B-E3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH2C-E3/5BT

ESH2C-E3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH2C R5G

ESH2C R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ESH228M050AN2AA

ESH228M050AN2AA

Apraksts: CAP ALUM 2200UF 20% 50V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH2BHE3/52T

ESH2BHE3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.