Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > ESH1B R3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5777029ESH1B R3G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH1B R3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7200+
$0.077
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ESH1B R3G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ESH1B R3G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    900mV @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    100V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    15ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    ESH1B R3G-ND
    ESH1BR3G
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 100V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ESH1B R3G” saistītie produkti.
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH157M450AN7AA

ESH157M450AN7AA

Apraksts: CAP ALUM 150UF 20% 450V T/H

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH108M6R3AH1AA

ESH108M6R3AH1AA

Apraksts: CAP ALUM 1000UF 20% 6.3V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH1B-E3/61T

ESH1B-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH1C R3G

ESH1C R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ESH108M025AH4AA

ESH108M025AH4AA

Apraksts: CAP ALUM 1000UF 20% 25V T/H

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH1C-E3/61T

ESH1C-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH158M035AM7AA

ESH158M035AM7AA

Apraksts: CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH108M050AL4AA

ESH108M050AL4AA

Apraksts: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH108M035AL3AA

ESH108M035AL3AA

Apraksts: CAP ALUM 1000UF 20% 35V T/H

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH108M025AL3AA

ESH108M025AL3AA

Apraksts: CAP ALUM 1000UF 20% 25V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH1B M2G

ESH1B M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ESH1B-E3/5AT

ESH1B-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH108M063AM2AA

ESH108M063AM2AA

Apraksts: CAP ALUM 1000UF 20% 63V T/H

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ESH108M050AM7AA

ESH108M050AM7AA

Apraksts: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Ražotāji: KEMET
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.