Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > ES3HBHM4G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6749010ES3HBHM4G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

ES3HBHM4G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6000+
$0.167
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ES3HBHM4G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ES3HBHM4G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.7V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    500V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AA (SMB)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    35ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AA, SMB
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    28 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 500V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 500V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ES3HBHM4G” saistītie produkti.
ES3HB M4G

ES3HB M4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3GBHM4G

ES3GBHM4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3GHM6G

ES3GHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3GHR7G

ES3GHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3GHE3/9AT

ES3GHE3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES3GHE3_A/H

ES3GHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES3GHE3/57T

ES3GHE3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES3J V6G

ES3J V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3GBHR5G

ES3GBHR5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3HBHR5G

ES3HBHR5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3J M6G

ES3J M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3GHE3_A/I

ES3GHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES3J R7G

ES3J R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3JB M4G

ES3JB M4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3JB R5G

ES3JB R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3HM6G

ES3HM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3HR7G

ES3HR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3J

ES3J

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
ES3HB R5G

ES3HB R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES3J V7G

ES3J V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.