Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > ES1DL R3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4861228ES1DL R3G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

ES1DL R3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1800+
$0.104
3600+
$0.091
5400+
$0.082
12600+
$0.073
45000+
$0.068
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ES1DL R3G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ES1DL R3G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    950mV @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    Sub SMA
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    35ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-219AB
  • Citi vārdi
    ES1DL R3GTR
    ES1DL R3GTR-ND
    ES1DLR3GTR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    21 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ES1DL R3G” saistītie produkti.
ES1DE-TP

ES1DE-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
ES1DLHM2G

ES1DLHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DHE3/5AT

ES1DHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES1DHE3_A/H

ES1DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES1DL RQG

ES1DL RQG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DHE3/61T

ES1DHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES1DLHMQG

ES1DLHMQG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DLHMTG

ES1DLHMTG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DL RHG

ES1DL RHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DHE3_A/I

ES1DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES1DL MTG

ES1DL MTG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DHM2G

ES1DHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DL RVG

ES1DL RVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DL RFG

ES1DL RFG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DL M2G

ES1DL M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DL RUG

ES1DL RUG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DL MHG

ES1DL MHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DL MQG

ES1DL MQG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DL RTG

ES1DL RTG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ES1DLHMHG

ES1DLHMHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.