Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BAV21W-G RHG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1109032BAV21W-G RHG attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

BAV21W-G RHG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.039
6000+
$0.035
15000+
$0.03
30000+
$0.027
75000+
$0.024
150000+
$0.02
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BAV21W-G RHG
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BAV21W-G RHG.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.25V @ 200mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOD-123
  • Ātrums
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    50ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOD-123
  • Citi vārdi
    BAV21W-G RHG-ND
    BAV21W-G RHGTR
    BAV21W-G RHGTR-ND
    BAV21W-GRHGTR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    30 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 200mA Surface Mount SOD-123
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    100nA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    200mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BAV21W-G RHG” saistītie produkti.
BAV21W-G3-08

BAV21W-G3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAV21W-G3-18

BAV21W-G3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAV21WS-7-F

BAV21WS-7-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAV21-T50R

BAV21-T50R

Apraksts: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAV21TR

BAV21TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAV21-TR

BAV21-TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAV21HWF-7

BAV21HWF-7

Apraksts: DIODE GP 200V 200MA SOD123F

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAV21W-E3-18

BAV21W-E3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAV21W-7-F

BAV21W-7-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAV21WS-7

BAV21WS-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAV21-TAP

BAV21-TAP

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAV21W-HE3-18

BAV21W-HE3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAV21WS-E3-08

BAV21WS-E3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAV21W-E3-08

BAV21W-E3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAV21W-TP

BAV21W-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
BAV21WS R9G

BAV21WS R9G

Apraksts: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BAV21WS RRG

BAV21WS RRG

Apraksts: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BAV21W-7

BAV21W-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAV21W RHG

BAV21W RHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BAV21W-HE3-08

BAV21W-HE3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.