Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Optoelektronika > Lāzera diodes, moduļi > GH04P21A2GE
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3823232GH04P21A2GE attēlsSharp Microelectronics

GH04P21A2GE

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GH04P21A2GE
  • Ražotājs / zīmols
    Sharp Microelectronics
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    LASER DIODE 406NM 105MW TO18
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GH04P21A2GE.pdf
  • Viļņa garums
    406nm
  • Spriegums - ievade
    5.4V
  • Sērija
    -
  • Jauda (vatos)
    105mW
  • Iepakojums / lieta
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Citi vārdi
    425-2697
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    2 (1 Year)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    Laser Diode 406nm 105mW 5.4V 150mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Pašreizējais vērtējums
    150mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GH04P21A2GE” saistītie produkti.
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Apraksts: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GH06510B2A

GH06510B2A

Apraksts: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
DM80-01-3-8890-3-LC

DM80-01-3-8890-3-LC

Apraksts: LASER DIODE 1587NM 2.511MW

Ražotāji: Finisar Corporation
Noliktavā
RFQ
GH06550B2B

GH06550B2B

Apraksts: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

Apraksts: BARE LASER BAR

Ražotāji: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
Noliktavā
RFQ
DM80-01-1-8760-3-LC

DM80-01-1-8760-3-LC

Apraksts: LASER DIODE 1598NM 5.011MW

Ražotāji: Finisar Corporation
Noliktavā
RFQ
GH06507B2A

GH06507B2A

Apraksts: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
VLM-532-43-LCB

VLM-532-43-LCB

Apraksts: LASER DIODE 532NM 10MW 13MM DIA

Ražotāji: Quarton, Inc.
Noliktavā
RFQ
DM80-01-3-8700-3-LC

DM80-01-3-8700-3-LC

Apraksts: LASER DIODE 1603NM 2.511MW

Ražotāji: Finisar Corporation
Noliktavā
RFQ
VLM-650-26-LPA

VLM-650-26-LPA

Apraksts: LASER DIODE 650NM 5MW

Ražotāji: Quarton, Inc.
Noliktavā
RFQ
HFE4191-441

HFE4191-441

Apraksts: LASER DIODE 850NM 0.5MW TO46-3

Ražotāji: Finisar Corporation
Noliktavā
RFQ
GH06560B2C

GH06560B2C

Apraksts: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
OPV240

OPV240

Apraksts: LASER DIODE 850NM 4.5MW 3SMD

Ražotāji: Optek Technology / TT Electronics
Noliktavā
RFQ
DM200-01-1-9280-0-LC

DM200-01-1-9280-0-LC

Apraksts: LASER DIODE 1554NM 1.995MW

Ražotāji: Finisar Corporation
Noliktavā
RFQ
DM200-01-1-9320-0-LC

DM200-01-1-9320-0-LC

Apraksts: LASER DIODE 1552NM 1.995MW

Ražotāji: Finisar Corporation
Noliktavā
RFQ
GH04020B2A

GH04020B2A

Apraksts: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
DM200-01-3-9310-0-LC

DM200-01-3-9310-0-LC

Apraksts: LASER DIODE 1552NM 1.995MW

Ražotāji: Finisar Corporation
Noliktavā
RFQ
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Apraksts: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Ražotāji: AVX Corporation
Noliktavā
RFQ
NX7563JB-BC-AZ

NX7563JB-BC-AZ

Apraksts: LASER DIODE 1550NM 135MW 14DIP

Ražotāji: CEL (California Eastern Laboratories)
Noliktavā
RFQ
GH04125A2A

GH04125A2A

Apraksts: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.