7020691

1N5811

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

250+

$9.358

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

1N5811
Ražotājs / zīmols

Semtech
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
Datu lapas

1N5811.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

875mV @ 4A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

150V
Piegādātāja ierīču komplekts

Axial
Ātrums

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

30ns
Iepakojums

Bulk
Iepakojums / lieta

Axial
Citi vārdi

1N5811S
Darba temperatūra - savienojums

-
Montāžas tips

Through Hole
Ražotāja standarta svina laiks

46 Weeks
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 150V 6A Through Hole Axial
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

5µA @ 150V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

6A
Ietilpība @ Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

Šis ir ar “1N5811” saistītie produkti.

1N5807US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 6A

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5813

Apraksts: RECTIFIER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5813R

Apraksts: RECTIFIER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5814

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5809US.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 6A

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5809

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5807US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5809US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5811US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 6A

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5807

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5811C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5812

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5811US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5814R

Apraksts: RECTIFIER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5809US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 6A

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5808

Apraksts: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5807

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5809

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5812R

Apraksts: RECTIFIER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5811TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

1N5811

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

1N5807US

1N5813

1N5813R

1N5814

1N5809US.TR

1N5809

1N5807US

1N5809US

1N5811US

1N5807

1N5811C.TR

1N5812

1N5811US

1N5814R

1N5809US

1N5808

1N5807

1N5809

1N5812R

1N5811TR

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda