1N5554US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

250+

$9.553

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

1N5554US
Ražotājs / zīmols

Semtech
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 1KV 5A
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
Datu lapas

1N5554US.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1V @ 3A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

1000V
Piegādātāja ierīču komplekts

-
Ātrums

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

2µs
Iepakojums

Bulk
Iepakojums / lieta

SQ-MELF
Citi vārdi

1N5554USS
Darba temperatūra - savienojums

-
Montāžas tips

Surface Mount
Ražotāja standarta svina laiks

12 Weeks
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 1000V 5A Surface Mount
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1µA @ 1000V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

5A
Ietilpība @ Vr, F

92pF @ 5V, 1MHz

Šis ir ar “1N5554US” saistītie produkti.

1N5610

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5553US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5554

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5554C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5555

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5552C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5611

Apraksts: TVS DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5553C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5614GP-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

1N5558

Apraksts: TVS DIODE 175V 265V DO13

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5613

Apraksts: TVS DIODE C-BODY

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5557

Apraksts: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5556

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5553US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 5A

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5553

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5552US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5553

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5554US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5614

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5554

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

1N5554US

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

1N5610

1N5553US

1N5554

1N5554C.TR

1N5555

1N5552C.TR

1N5611

1N5553C.TR

1N5614GP-E3/54

1N5558

1N5613

1N5557

1N5556

1N5553US

1N5553

1N5552US

1N5553

1N5554US

1N5614

1N5554

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda