1N5551US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

250+

$9.277

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

1N5551US
Ražotājs / zīmols

Semtech
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 400V 5A
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
Datu lapas

1N5551US.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1V @ 3A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

400V
Piegādātāja ierīču komplekts

-
Ātrums

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

2µs
Iepakojums

Bulk
Iepakojums / lieta

SQ-MELF
Citi vārdi

1N5551USS
Darba temperatūra - savienojums

-
Montāžas tips

Surface Mount
Ražotāja standarta svina laiks

12 Weeks
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 400V 5A Surface Mount
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1µA @ 400V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

5A
Ietilpība @ Vr, F

92pF @ 5V, 1MHz

Šis ir ar “1N5551US” saistītie produkti.

1N5553C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5550

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5551

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5545BUR-1

Apraksts: ZENER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5552US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5551

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5553US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5553

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5546B

Apraksts: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5551C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5552

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5552C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5553US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 5A

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5550US

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5550C.TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

1N5545B

Apraksts: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5546BUR-1

Apraksts: ZENER DIODE

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5553

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5551US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

1N5552

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Ražotāji: Semtech

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

1N5551US

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

1N5553C.TR

1N5550

1N5551

1N5545BUR-1

1N5552US

1N5551

1N5553US

1N5553

1N5546B

1N5551C.TR

1N5552

1N5552C.TR

1N5553US

1N5550US

1N5550C.TR

1N5545B

1N5546BUR-1

1N5553

1N5551US

1N5552

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda