Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > NP180N055TUJ-E1-AY

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3869604

NP180N055TUJ-E1-AY attēls

Renesas Electronics America

NP180N055TUJ-E1-AY

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

NP180N055TUJ-E1-AY
Ražotājs / zīmols

Renesas Electronics Corporation
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

NP180N055TUJ-E1-AY.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-263-7
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 90A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.8W (Ta), 348W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Citi vārdi

NP180N055TUJ-E1-AY-ND
NP180N055TUJ-E1-AYTR
Darbības temperatūra

175°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

14250pF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

230nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

55V
Detalizēts apraksts

N-Channel 55V 180A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “NP180N055TUJ-E1-AY” saistītie produkti.

NP1800SBMCT3G

Apraksts: THYRISTOR 170V 250A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NP18-12FR

NP18-12FR

Apraksts: BATTERY LEAD ACID 12V 17.2AH

Ražotāji: EnerSys

Noliktavā

NP1800GBRLG

Apraksts: THYRISTOR 170V 80A DO15

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NP180N04TUK-E1-AY

NP180N04TUK-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP160N055TUJ-E1-AY

NP160N055TUJ-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP180N04TUJ-E2-AY

NP180N04TUJ-E2-AY

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP180N04TUG-E1-AY

NP180N04TUG-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP160N04TUG-E1-AY

NP160N04TUG-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP1800SAT3G

Apraksts: THYRISTOR 170V 50A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NP180N055TUK-E1-AY

NP180N055TUK-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 180A TO-263

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP180N055TUJ-E2-AY

NP180N055TUJ-E2-AY

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP160N04TUJ-E1-AY

NP160N04TUJ-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP1800SCT3G

Apraksts: THYRISTOR 170V 100A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NP160N055TUK-E1-AY

NP160N055TUK-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP180N04TUJ-E1-AY

NP180N04TUJ-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP1800SCMCT3G

Apraksts: THYRISTOR 170V 400A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NP1800SBT3G

Apraksts: THYRISTOR 170V 80A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NP1800SAMCT3G

Apraksts: THYRISTOR 170V 150A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NP160N055TUJ-E2-AY

NP160N055TUJ-E2-AY

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

NP160N04TUJ-E2-AY

NP160N04TUJ-E2-AY

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.