Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > H7N1002LSTL-E
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
656320H7N1002LSTL-E attēlsRenesas Electronics America

H7N1002LSTL-E

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    H7N1002LSTL-E
  • Ražotājs / zīmols
    Renesas Electronics Corporation
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V LDPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    H7N1002LSTL-E.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    4-LDPAK
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 37.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    100W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SC-83
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    9700pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    75A (Ta)

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

2024/10/28

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

2024/10/7
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “H7N1002LSTL-E” saistītie produkti.
CTLDM7003-M621 TR

CTLDM7003-M621 TR

Apraksts: MOSFET N-CH 50V DFN6

Ražotāji: Central Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RTQ020N05TR

RTQ020N05TR

Apraksts: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
FQI5N60CTU

FQI5N60CTU

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
IRF7809AV

IRF7809AV

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
CSD25211W1015

CSD25211W1015

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

Ražotāji: Luminary Micro / Texas Instruments
Noliktavā
RFQ
STH210N75F6-2

STH210N75F6-2

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
SI4420DYTR

SI4420DYTR

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
STFI6N65K3

STFI6N65K3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
IXFY8N65X2

IXFY8N65X2

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTQ96N25T

IXTQ96N25T

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRF7210TRPBF

IRF7210TRPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPI08CN10N G

IPI08CN10N G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI1303DL-T1-GE3

SI1303DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IPD200N15N3GBTMA1

IPD200N15N3GBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
H7N1002LS-E

H7N1002LS-E

Apraksts: MOSFET N-CH 100V LDPAK

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
IRL640SPBF

IRL640SPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.