Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > QJD1210011
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
7046030

QJD1210011

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    QJD1210011
  • Ražotājs / zīmols
    Powerex, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.QJD1210011.pdf
    2.QJD1210011.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 10mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    Module
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 100A, 20V
  • Jauda - maks
    900W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    Module
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    10200pF @ 800V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    500nC @ 20V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Silicon Carbide (SiC)
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “QJD1210011” saistītie produkti.
BSC0921NDIATMA1

BSC0921NDIATMA1

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
QJD1210010

QJD1210010

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
AON4807

AON4807

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
SI5947DU-T1-GE3

SI5947DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UPA2379T1P-E1-A

UPA2379T1P-E1-A

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
QJD1210SA2

QJD1210SA2

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
SSM6N7002CFU,LF

SSM6N7002CFU,LF

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
BUK9MRR-65PKK,518

BUK9MRR-65PKK,518

Apraksts: 9605 AUTO TRENCH PLUS

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
SIA911EDJ-T1-GE3

SIA911EDJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQJ500EP

SQJ500EP

Apraksts: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
QJD1210SB1

QJD1210SB1

Apraksts: MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
MMDF1N05ER2G

MMDF1N05ER2G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF7757TR

IRF7757TR

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
AO6608

AO6608

Apraksts: MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
EM6K6T2R

EM6K6T2R

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
AON7932

AON7932

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IRFH4251DTRPBF

IRFH4251DTRPBF

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
QJD1210SA1

QJD1210SA1

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
BSC0923NDIATMA1

BSC0923NDIATMA1

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.