Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FJ3P02100L
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3224479FJ3P02100L attēlsPanasonic

FJ3P02100L

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.26
10+
$1.112
100+
$0.879
500+
$0.681
1000+
$0.538
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FJ3P02100L
  • Ražotājs / zīmols
    Panasonic
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FJ3P02100L.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.05V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    3-PMCP
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    -
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    3-SMD, Non-Standard
  • Citi vārdi
    FJ3P02100LCT
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    11 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3000pF @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 4.4A (Ta) Surface Mount 3-PMCP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4.4A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FJ3P02100L” saistītie produkti.
IXFX32N50Q

IXFX32N50Q

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
FDR838P

FDR838P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDS2170N7

FDS2170N7

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRLU3110ZPBF

IRLU3110ZPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FJ3303010L

FJ3303010L

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NTD30N02G

NTD30N02G

Apraksts: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RJK4514DPK-00#T0

RJK4514DPK-00#T0

Apraksts: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
E3M0120090D

E3M0120090D

Apraksts: E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC

Ražotāji: Cree Wolfspeed
Noliktavā
RFQ
IPI14N03LA

IPI14N03LA

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXFK170N25X3

IXFK170N25X3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 170A TO264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
2SK3800VR

2SK3800VR

Apraksts: MOSFET N-CH 40V TO-220S

Ražotāji: Sanken Electric Co., Ltd.
Noliktavā
RFQ
IPL60R385CPAUMA1

IPL60R385CPAUMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRF3710STRR

IRF3710STRR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
AON6264E

AON6264E

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
STP11NM65N

STP11NM65N

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
SUP60N10-18P-E3

SUP60N10-18P-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.