Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Ķēdes aizsardzība > TVS - diodes > MAP6KE8.2CA
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1105289

MAP6KE8.2CA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MAP6KE8.2CA
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    MAP6KE8.2CA.pdf
  • Spriegums - reversais izliekums (tips)
    7.02V
  • Spriegums - stiprinājums (maksimālais) @ Ipp
    12.1V
  • Spriegums - sadalījums (min)
    7.79V
  • Tips
    Zener
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    T-18
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500
  • Elektropārvades līnijas aizsardzība
    No
  • Jauda - maksimālais impulss
    600W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    T-18, Axial
  • Citi vārdi
    1086-4607
    1086-4607-MIL
  • Darbības temperatūra
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pašreizējais - maksimālais impulss (10 / 1000μs)
    50A
  • Jauda @ Frekvence
    -
  • Divvirzienu kanāli
    1
  • Pieteikumi
    General Purpose

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MAP6KE8.2CA” saistītie produkti.
MAP6KE8.2A

MAP6KE8.2A

Apraksts: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE9.1AE3

MAP6KE9.1AE3

Apraksts: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE9.1CAE3

MAP6KE9.1CAE3

Apraksts: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE7.5CAE3

MAP6KE7.5CAE3

Apraksts: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE9.1A

MAP6KE9.1A

Apraksts: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE8.2CAE3

MAP6KE8.2CAE3

Apraksts: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE75CAE3

MAP6KE75CAE3

Apraksts: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE75AE3

MAP6KE75AE3

Apraksts: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE9.1CA

MAP6KE9.1CA

Apraksts: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE91A

MAP6KE91A

Apraksts: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE75A

MAP6KE75A

Apraksts: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE7.5AE3

MAP6KE7.5AE3

Apraksts: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE7.5CA

MAP6KE7.5CA

Apraksts: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE82A

MAP6KE82A

Apraksts: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE82CA

MAP6KE82CA

Apraksts: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE7.5A

MAP6KE7.5A

Apraksts: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE82AE3

MAP6KE82AE3

Apraksts: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE82CAE3

MAP6KE82CAE3

Apraksts: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE8.2AE3

MAP6KE8.2AE3

Apraksts: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE75CA

MAP6KE75CA

Apraksts: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.