Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Ķēdes aizsardzība > TVS - diodes > MAP6KE56AE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3844040

MAP6KE56AE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MAP6KE56AE3
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TVS DIODE 47.8V 77V T-18
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    MAP6KE56AE3.pdf
  • Spriegums - reversais izliekums (tips)
    47.8V
  • Spriegums - stiprinājums (maksimālais) @ Ipp
    77V
  • Spriegums - sadalījums (min)
    53.2V
  • Vienvirziena kanāli
    1
  • Tips
    Zener
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    T-18
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500
  • Elektropārvades līnijas aizsardzība
    No
  • Jauda - maksimālais impulss
    600W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    T-18, Axial
  • Citi vārdi
    1086-4582
    1086-4582-MIL
  • Darbības temperatūra
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pašreizējais - maksimālais impulss (10 / 1000μs)
    7.8A
  • Jauda @ Frekvence
    -
  • Pieteikumi
    General Purpose

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MAP6KE56AE3” saistītie produkti.
MAP6KE47CAE3

MAP6KE47CAE3

Apraksts: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE56A

MAP6KE56A

Apraksts: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE62CAE3

MAP6KE62CAE3

Apraksts: TVS DIODE 53V 85V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE6.8CA

MAP6KE6.8CA

Apraksts: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE62AE3

MAP6KE62AE3

Apraksts: TVS DIODE 53V 85V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE56CA

MAP6KE56CA

Apraksts: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE47A

MAP6KE47A

Apraksts: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE47CA

MAP6KE47CA

Apraksts: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE62A

MAP6KE62A

Apraksts: TVS DIODE 53V 85V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE56CAE3

MAP6KE56CAE3

Apraksts: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE51A

MAP6KE51A

Apraksts: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE51CAE3

MAP6KE51CAE3

Apraksts: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE43CAE3

MAP6KE43CAE3

Apraksts: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE6.8A

MAP6KE6.8A

Apraksts: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE51AE3

MAP6KE51AE3

Apraksts: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE6.8AE3

MAP6KE6.8AE3

Apraksts: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE47AE3

MAP6KE47AE3

Apraksts: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE62CA

MAP6KE62CA

Apraksts: TVS DIODE 53V 85V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE6.8CAE3

MAP6KE6.8CAE3

Apraksts: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE51CA

MAP6KE51CA

Apraksts: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.