Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Ķēdes aizsardzība > TVS - diodes > MAP6KE30CAE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4705478

MAP6KE30CAE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MAP6KE30CAE3
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    MAP6KE30CAE3.pdf
  • Spriegums - reversais izliekums (tips)
    25.6V
  • Spriegums - stiprinājums (maksimālais) @ Ipp
    41.4V
  • Spriegums - sadalījums (min)
    28.5V
  • Tips
    Zener
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    T-18
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500
  • Elektropārvades līnijas aizsardzība
    No
  • Jauda - maksimālais impulss
    600W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    T-18, Axial
  • Citi vārdi
    1086-4556
    1086-4556-MIL
  • Darbības temperatūra
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pašreizējais - maksimālais impulss (10 / 1000μs)
    14.4A
  • Jauda @ Frekvence
    -
  • Divvirzienu kanāli
    1
  • Pieteikumi
    General Purpose

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MAP6KE30CAE3” saistītie produkti.
MAP6KE36CAE3

MAP6KE36CAE3

Apraksts: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE36CA

MAP6KE36CA

Apraksts: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE27A

MAP6KE27A

Apraksts: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE24AE3

MAP6KE24AE3

Apraksts: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE36A

MAP6KE36A

Apraksts: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE27CAE3

MAP6KE27CAE3

Apraksts: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

Apraksts: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE24CAE3

MAP6KE24CAE3

Apraksts: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE36AE3

MAP6KE36AE3

Apraksts: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE27CA

MAP6KE27CA

Apraksts: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE30A

MAP6KE30A

Apraksts: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE27AE3

MAP6KE27AE3

Apraksts: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE33CA

MAP6KE33CA

Apraksts: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE33A

MAP6KE33A

Apraksts: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE33AE3

MAP6KE33AE3

Apraksts: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE39AE3

MAP6KE39AE3

Apraksts: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

Apraksts: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE30AE3

MAP6KE30AE3

Apraksts: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE39A

MAP6KE39A

Apraksts: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE24CA

MAP6KE24CA

Apraksts: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.