Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Ķēdes aizsardzība > TVS - diodes > MAP6KE120AE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
522407

MAP6KE120AE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MAP6KE120AE3
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TVS DIODE 102V 165V T-18
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    MAP6KE120AE3.pdf
  • Spriegums - reversais izliekums (tips)
    102V
  • Spriegums - stiprinājums (maksimālais) @ Ipp
    165V
  • Spriegums - sadalījums (min)
    114V
  • Vienvirziena kanāli
    1
  • Tips
    Zener
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    T-18
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500
  • Elektropārvades līnijas aizsardzība
    No
  • Jauda - maksimālais impulss
    600W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    T-18, Axial
  • Citi vārdi
    1086-4490
    1086-4490-MIL
  • Darbības temperatūra
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pašreizējais - maksimālais impulss (10 / 1000μs)
    3.6A
  • Jauda @ Frekvence
    -
  • Pieteikumi
    General Purpose

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MAP6KE120AE3” saistītie produkti.
MAP6KE120CA

MAP6KE120CA

Apraksts: TVS DIODE 102V 165V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE130A

MAP6KE130A

Apraksts: TVS DIODE 111V 179V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE120CAE3

MAP6KE120CAE3

Apraksts: TVS DIODE 102V 165V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE130CAE3

MAP6KE130CAE3

Apraksts: TVS DIODE 111V 179V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE11CAE3

MAP6KE11CAE3

Apraksts: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE110AE3

MAP6KE110AE3

Apraksts: TVS DIODE 94V 152V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE12CA

MAP6KE12CA

Apraksts: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE10CAE3

MAP6KE10CAE3

Apraksts: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE110CAE3

MAP6KE110CAE3

Apraksts: TVS DIODE 94V 152V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE12AE3

MAP6KE12AE3

Apraksts: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE130CA

MAP6KE130CA

Apraksts: TVS DIODE 111V 179V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE11CA

MAP6KE11CA

Apraksts: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE12A

MAP6KE12A

Apraksts: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE110CA

MAP6KE110CA

Apraksts: TVS DIODE 94V 152V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE130AE3

MAP6KE130AE3

Apraksts: TVS DIODE 111V 179V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE120A

MAP6KE120A

Apraksts: TVS DIODE 102V 165V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE12CAE3

MAP6KE12CAE3

Apraksts: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE11A

MAP6KE11A

Apraksts: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE11AE3

MAP6KE11AE3

Apraksts: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
MAP6KE110A

MAP6KE110A

Apraksts: TVS DIODE 94V 152V T-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.