Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JANTXV1N6081
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5064704

JANTXV1N6081

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$51.594
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JANTXV1N6081
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JANTXV1N6081.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    2A
  • Spriegums - sadalījums
    G, Axial
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/503
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    G, Axial
  • Citi vārdi
    1086-19461
    1086-19461-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    30ns
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    14 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    JANTXV1N6081
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 150V 2A Through Hole G, Axial
  • Diode konfigurācija
    1µA @ 150V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.5V @ 37.7A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    150V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 155°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JANTXV1N6081” saistītie produkti.
JANTXV1N6104

JANTXV1N6104

Apraksts: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6073

JANTXV1N6073

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6053A

JANTXV1N6053A

Apraksts: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6059A

JANTXV1N6059A

Apraksts: TVS DIODE 58V 92V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6047A

JANTXV1N6047A

Apraksts: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6104US

JANTXV1N6104US

Apraksts: TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6104AUS

JANTXV1N6104AUS

Apraksts: TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6100

JANTXV1N6100

Apraksts: TVS DIODE 14CFLATPACK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6104A

JANTXV1N6104A

Apraksts: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6076

JANTXV1N6076

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6101

JANTXV1N6101

Apraksts: TVS DIODE 16CDIP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6075

JANTXV1N6075

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6078

JANTXV1N6078

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6063A

JANTXV1N6063A

Apraksts: TVS DIODE 82V 137V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6074

JANTXV1N6074

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6103

JANTXV1N6103

Apraksts: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6103US

JANTXV1N6103US

Apraksts: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6103A

JANTXV1N6103A

Apraksts: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6103AUS

JANTXV1N6103AUS

Apraksts: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6077

JANTXV1N6077

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.