Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JANTXV1N5814
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6722925

JANTXV1N5814

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JANTXV1N5814
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JANTXV1N5814.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    20A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-203AA (DO-4)
  • Sērija
    MILITARY, MIL-PRF-19500/478
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    300pF @ 10V, 1MHz
  • Polarizācija
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Citi vārdi
    1086-15837
    1086-15837-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    35ns
  • Montāžas tips
    Chassis, Stud Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    JANTXV1N5814
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • Diode konfigurācija
    10µA @ 100V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    950mV @ 20A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    100V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JANTXV1N5814” saistītie produkti.
JANTXV1N5968US

JANTXV1N5968US

Apraksts: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6053A

JANTXV1N6053A

Apraksts: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5807

JANTXV1N5807

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5811URS

JANTXV1N5811URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

Apraksts: SCHOTTKY

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5806US

JANTXV1N5806US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5807URS

JANTXV1N5807URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5968

JANTXV1N5968

Apraksts: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5819-1

JANTXV1N5819-1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5811

JANTXV1N5811

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5809URS

JANTXV1N5809URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6059A

JANTXV1N6059A

Apraksts: TVS DIODE 58V 92V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6047A

JANTXV1N6047A

Apraksts: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5907

JANTXV1N5907

Apraksts: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6041A

JANTXV1N6041A

Apraksts: TVS DIODE 10V 16.7V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTXV1N6036A

JANTXV1N6036A

Apraksts: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.