Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > JANSR2N7389
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5384656

JANSR2N7389

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JANSR2N7389
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    P CHANNEL MOSFET TO-39
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    JANSR2N7389.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-205AF (TO-39)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/630
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350 mOhm @ 6.5A, 12V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    25W (Tc)
  • Iepakojums / lieta
    TO-205AF Metal Can
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    45nC @ 12V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    12V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 100V 6.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6.5A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JANSR2N7389” saistītie produkti.
JANSR2N7380

JANSR2N7380

Apraksts: N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANSR2N7261U

JANSR2N7261U

Apraksts: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANSR2N7389U

JANSR2N7389U

Apraksts: P CHANNEL MOSFET LCC-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANSR2N7262U

JANSR2N7262U

Apraksts: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1202AR

JANTX1N1202AR

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1186

JANTX1N1186

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1204A

JANTX1N1204A

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANSR2N7269

JANSR2N7269

Apraksts: N CHANNEL MOSFET TO-254

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1188R

JANTX1N1188R

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JANSR2N5153

JANSR2N5153

Apraksts: RH POWER BJT

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1202A

JANTX1N1202A

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1190R

JANTX1N1190R

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1190

JANTX1N1190

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1186R

JANTX1N1186R

Apraksts: SILICON RECTIFIER

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANSR2N7269U

JANSR2N7269U

Apraksts: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANTX1N1184R

JANTX1N1184R

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JANSR2N7268U

JANSR2N7268U

Apraksts: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANSR2N7381

JANSR2N7381

Apraksts: N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANSR2N5152U3

JANSR2N5152U3

Apraksts: RH POWER BJT

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JANSR2N5153U3

JANSR2N5153U3

Apraksts: RH POWER BJT

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.