Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N6630
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1864382

JAN1N6630

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$15.895
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N6630
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N6630.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.4V @ 1.4A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    900V
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    50ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    E, Axial
  • Citi vārdi
    1086-19991
    1086-19991-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 900V 1.4A Through Hole
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    2µA @ 900V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1.4A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N6630” saistītie produkti.
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Apraksts: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Apraksts: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.