Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N649-1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1601822

JAN1N649-1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N649-1
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N649-1.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    400mA
  • Spriegums - sadalījums
    DO-35
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Citi vārdi
    1086-15995
    1086-15995-MIL
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    JAN1N649-1
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • Diode konfigurācija
    50nA @ 600V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1V @ 400mA
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    600V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N649-1” saistītie produkti.
JAN1N6621

JAN1N6621

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Apraksts: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Apraksts: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Apraksts: TVS DIODE 14CDIP

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Apraksts: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Apraksts: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Apraksts: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Apraksts: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Apraksts: TVS DIODE 14CDIP

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Apraksts: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Apraksts: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.