Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N647-1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3159737JAN1N647-1 attēlsMicrosemi

JAN1N647-1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N647-1
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N647-1.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 400mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    400V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-35
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Citi vārdi
    1086-15181
    1086-15181-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    50nA @ 400V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    400mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N647-1” saistītie produkti.
JAN1N6472

JAN1N6472

Apraksts: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6468

JAN1N6468

Apraksts: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6469

JAN1N6469

Apraksts: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6471

JAN1N6471

Apraksts: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6470US

JAN1N6470US

Apraksts: TVS DIODE 6V 11V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6469US

JAN1N6469US

Apraksts: TVS DIODE 5V 9V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6467

JAN1N6467

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6466US

JAN1N6466US

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Apraksts: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6468US

JAN1N6468US

Apraksts: TVS DIODE 51.6V 78.5V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Apraksts: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

Apraksts: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Apraksts: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6465

JAN1N6465

Apraksts: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6466

JAN1N6466

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6465US

JAN1N6465US

Apraksts: TVS DIODE 24V 41.4V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6470

JAN1N6470

Apraksts: TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6467US

JAN1N6467US

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.