Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Ķēdes aizsardzība > TVS - diodes > JAN1N6115US
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3561632

JAN1N6115US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N6115US
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TVS DIODE 18.2V 34.97V B SQ-MELF
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N6115US.pdf
  • Spriegums - reversais izliekums (tips)
    18.2V
  • Spriegums - stiprinājums (maksimālais) @ Ipp
    34.97V
  • Spriegums - sadalījums (min)
    21.66V
  • Tips
    Zener
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    B, SQ-MELF
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Elektropārvades līnijas aizsardzība
    No
  • Jauda - maksimālais impulss
    500W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SQ-MELF, B
  • Citi vārdi
    1086-2180
    1086-2180-MIL
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pašreizējais - maksimālais impulss (10 / 1000μs)
    14.25A
  • Jauda @ Frekvence
    -
  • Divvirzienu kanāli
    1
  • Pieteikumi
    General Purpose

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N6115US” saistītie produkti.
JAN1N6113A

JAN1N6113A

Apraksts: TVS DIODE 15.2V 27.7V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6116US

JAN1N6116US

Apraksts: TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6117A

JAN1N6117A

Apraksts: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6117

JAN1N6117

Apraksts: TVS DIODE 22.8V 43.68V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6115

JAN1N6115

Apraksts: TVS DIODE 18.2V 34.97V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6118

JAN1N6118

Apraksts: TVS DIODE 25.1V 47.99V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6114AUS

JAN1N6114AUS

Apraksts: TVS DIODE 16.7V 30.5V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6114

JAN1N6114

Apraksts: TVS DIODE 16.7V 32.03V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6116AUS

JAN1N6116AUS

Apraksts: TVS DIODE 20.6V 37.4V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6118A

JAN1N6118A

Apraksts: TVS DIODE 25.1V 45.7V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6115A

JAN1N6115A

Apraksts: TVS DIODE 18.2V 33.3V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6116A

JAN1N6116A

Apraksts: TVS DIODE 20.6V 37.4V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6116

JAN1N6116

Apraksts: TVS DIODE 20.6V 39.27V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6117US

JAN1N6117US

Apraksts: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6113AUS

JAN1N6113AUS

Apraksts: TVS DIODE 15.2V 27.7V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6114A

JAN1N6114A

Apraksts: TVS DIODE 16.7V 30.5V AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6115AUS

JAN1N6115AUS

Apraksts: TVS DIODE 18.2V 33.3V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6117AUS

JAN1N6117AUS

Apraksts: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6113US

JAN1N6113US

Apraksts: TVS DIODE 15.2V 29.09V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6114US

JAN1N6114US

Apraksts: TVS DIODE 16.7V 32.03V B SQ-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.