Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N5811URS
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5184432

JAN1N5811URS

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$19.466
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N5811URS
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N5811URS.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    875mV @ 4A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    150V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    B, SQ-MELF
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    30ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SQ-MELF, B
  • Citi vārdi
    1086-19444
    1086-19444-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 150V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N5811URS” saistītie produkti.
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Apraksts: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

Apraksts: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6036A

JAN1N6036A

Apraksts: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.