Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N5711-1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2664893JAN1N5711-1 attēlsMicrosemi

JAN1N5711-1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$11.69
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N5711-1
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N5711-1.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 15mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    70V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-35
  • Ātrums
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/444
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Citi vārdi
    1086-15223
    1086-15223-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    11 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Schottky
  • Detalizēts apraksts
    Diode Schottky 70V 33mA Through Hole DO-35
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    200nA @ 70V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    33mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N5711-1” saistītie produkti.
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Apraksts: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Apraksts: TVS DIODE 111V 179V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Apraksts: TVS DIODE 53V 85V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Apraksts: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Apraksts: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Apraksts: TVS DIODE 10CFLATPACK

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Apraksts: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Apraksts: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Apraksts: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Apraksts: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Apraksts: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.