Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N5552
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2452536

JAN1N5552

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
132+
$7.733
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N5552
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N5552.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.2V @ 9A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    2µs
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    B, Axial
  • Citi vārdi
    1086-2098
    1086-2098-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 3A Through Hole
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N5552” saistītie produkti.
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Apraksts: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Apraksts: TVS DIODE 175V 265V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Apraksts: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

Apraksts: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.