Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N5420
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2385302JAN1N5420 attēlsMicrosemi

JAN1N5420

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$13.48
10+
$12.128
100+
$9.972
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N5420
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N5420.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.5V @ 9A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    B, Axial
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    400ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    B, Axial
  • Citi vārdi
    1086-2094
    1086-2094-MIL
    Q8738938A
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 3A Through Hole B, Axial
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N5420” saistītie produkti.
JAN1N5415

JAN1N5415

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5519C-1

JAN1N5519C-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5518D-1

JAN1N5518D-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5519B-1

JAN1N5519B-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5519BUR-1

JAN1N5519BUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5518DUR-1

JAN1N5518DUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.