Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N4150UR-1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3356043JAN1N4150UR-1 attēlsMicrosemi Corporation

JAN1N4150UR-1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$3.07
10+
$2.772
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N4150UR-1
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N4150UR-1.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    200mA (DC)
  • Spriegums - sadalījums
    DO-213AA
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/231
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    DO-213AA
  • Citi vārdi
    1086-15207-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    4ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    JAN1N4150UR-1
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 50V 200mA (DC) Surface Mount DO-213AA
  • Diode konfigurācija
    100nA @ 50V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1V @ 200mA
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    50V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N4150UR-1” saistītie produkti.
JAN1N4248

JAN1N4248

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N4148UBCC

JAN1N4148UBCC

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4148UB2

JAN1N4148UB2

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4148UBCA

JAN1N4148UBCA

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4245

JAN1N4245

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N4148UB2R

JAN1N4148UB2R

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4153-1

JAN1N4153-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4135DUR-1

JAN1N4135DUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 100V DO213AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4148-1

JAN1N4148-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4150-1

JAN1N4150-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4246

JAN1N4246

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N4249

JAN1N4249

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N4370C-1

JAN1N4370C-1

Apraksts: DIODE ZENER 2.4V DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4148UB

JAN1N4148UB

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA UB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4148UR-1

JAN1N4148UR-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO213

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4370CUR-1

JAN1N4370CUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 2.4V DO213AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4370A-1

JAN1N4370A-1

Apraksts: DIODE ZENER 2.4V DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4370AUR-1

JAN1N4370AUR-1

Apraksts: DIODE ZENER 2.4V DO213AA

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N4247

JAN1N4247

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N4148UBD

JAN1N4148UBD

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.