Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APTM120U10DAG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1434014

APTM120U10DAG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APTM120U10DAG
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APTM120U10DAG.pdf
    2.APTM120U10DAG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 20mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SP6
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 58A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3290W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SP6
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    28900pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1100nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APTM120U10DAG” saistītie produkti.
APTM120VDA57T3G

APTM120VDA57T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM20AM04FG

APTM20AM04FG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM20AM05FTG

APTM20AM05FTG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120UM70DAG

APTM120UM70DAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120SK56T1G

APTM120SK56T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120U10SCAVG

APTM120U10SCAVG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120UM95FAG

APTM120UM95FAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 103A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120SK68T1G

APTM120SK68T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120UM70FAG

APTM120UM70FAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM20AM05FG

APTM20AM05FG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120TDU57PG

APTM120TDU57PG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120SK29TG

APTM120SK29TG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120H140FT1G

APTM120H140FT1G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120U10SAG

APTM120U10SAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM20AM06SG

APTM20AM06SG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120SK15G

APTM120SK15G

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120H29FG

APTM120H29FG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120TA57FPG

APTM120TA57FPG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.