Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APTM120DA30CT1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1134623APTM120DA30CT1G attēlsMicrosemi

APTM120DA30CT1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$66.465
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APTM120DA30CT1G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    APTM120DA30CT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SP1
  • Sērija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 25A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    657W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SP1
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    14560pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    31A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APTM120DA30CT1G” saistītie produkti.
APTM120H140FT1G

APTM120H140FT1G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120A20DG

APTM120A20DG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DA15G

APTM120DA15G

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DU15G

APTM120DU15G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DA30T1G

APTM120DA30T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120A15FG

APTM120A15FG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120H29FG

APTM120H29FG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.