Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > APTM100H46FT3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1638281

APTM100H46FT3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$49.782
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APTM100H46FT3G
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SP3
  • Sērija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    552 mOhm @ 16A, 10V
  • Jauda - maks
    357W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SP3
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    6800pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • FET tips
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1000V (1kV)
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    19A
APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100SK40T1G

APTM100SK40T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100SK33T1G

APTM100SK33T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100SKM90G

APTM100SKM90G

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APTM100SK18TG

APTM100SK18TG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu