Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APTM100DA18T1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
501334

APTM100DA18T1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APTM100DA18T1G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APTM100DA18T1G.pdf
    2.APTM100DA18T1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SP1
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    216 mOhm @ 33A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    657W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SP1
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    14800pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    570nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1000V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APTM100DA18T1G” saistītie produkti.
APTM100A23SCTG

APTM100A23SCTG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100A13DG

APTM100A13DG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100A13SG

APTM100A13SG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100A18FTG

APTM100A18FTG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.