Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APTGT75DH60T1G

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3423913

APTGT75DH60T1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

APTGT75DH60T1G
Ražotājs / zīmols

Microsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOD IGBT 600V 100A SP1
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

APTGT75DH60T1G.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

600V
Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A
Piegādātāja ierīču komplekts

SP1
Sērija

-
Jauda - maks

250W
Iepakojums / lieta

SP1
Darbības temperatūra

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC termistors

Yes
Montāžas tips

Chassis Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V
Ievade

Standard
IGBT tips

Trench Field Stop
Detalizēts apraksts

IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
Current - Collector Cutoff (Maks.)

250µA
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100A
Konfigurācija

Asymmetrical Bridge

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

What is an embedded system?

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “APTGT75DH60T1G” saistītie produkti.

APTGT75DA120D1G

APTGT75DA120D1G

Apraksts: IGBT 1200V 110A 357W D1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75SK120TG

Apraksts: IGBT 1200V 110A 357W SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DSK60T3G

APTGT75DSK60T3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DH60TG

APTGT75DH60TG

Apraksts: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DH120TG

APTGT75DH120TG

Apraksts: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DA170T1G

APTGT75DA170T1G

Apraksts: IGBT 1700V 130A 465W SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75H60T3G

APTGT75H60T3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DA120T1G

APTGT75DA120T1G

Apraksts: IGBT 1200V 110A 357W SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75SK120T1G

APTGT75SK120T1G

Apraksts: IGBT 1200V 110A 357W SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DA170D1G

APTGT75DA170D1G

Apraksts: IGBT 1700V 120A 520W D1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DU120TG

APTGT75DU120TG

Apraksts: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75H60T2G

Apraksts: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75SK120D1G

APTGT75SK120D1G

Apraksts: IGBT 1200V 110A 357W D1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75H60T1G

Apraksts: POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DA120TG

Apraksts: IGBT 1200V 110A 357W SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DA60T1G

Apraksts: POWER MOD IGBT 600V 100A SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75A60T1G

Apraksts: IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75H120TG

APTGT75H120TG

Apraksts: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DH120T3G

APTGT75DH120T3G

Apraksts: MOD IGBT 1200V 110A SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGT75DDA60T3G

APTGT75DDA60T3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.