Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APTGT35DA120D1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4816910

APTGT35DA120D1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APTGT35DA120D1G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 55A 205W D1
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    APTGT35DA120D1G.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D1
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    205W
  • Iepakojums / lieta
    D1
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistors
    No
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    2.5nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    Trench Field Stop
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    5mA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    55A
  • Konfigurācija
    Single

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APTGT35DA120D1G” saistītie produkti.
APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT400DA60D3G

APTGT400DA60D3G

Apraksts: IGBT 600V 500A 1250W D3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT30SK170T1G

APTGT30SK170T1G

Apraksts: IGBT 1700V 45A 210W SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT30TL601G

APTGT30TL601G

Apraksts: MOD IGBT 600V 50A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT35A120D1G

APTGT35A120D1G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT30X60T3G

APTGT30X60T3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT35X120T3G

APTGT35X120T3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT35SK120D1G

APTGT35SK120D1G

Apraksts: IGBT 1200V 55A 205W D1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT400A60D3G

APTGT400A60D3G

Apraksts: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT400DA120D3G

APTGT400DA120D3G

Apraksts: IGBT 1200V 580A 2100W D3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT35A120T1G

APTGT35A120T1G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT30SK170D1G

APTGT30SK170D1G

Apraksts: IGBT 1700V 45A 210W D1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT400DA120G

APTGT400DA120G

Apraksts: IGBT 1200V 560A 1785W SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT30TL60T3G

APTGT30TL60T3G

Apraksts: MOD IGBT 600V 50A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT400A120G

APTGT400A120G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT30H60T3G

APTGT30H60T3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT400A120D3G

APTGT400A120D3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT30H170T3G

APTGT30H170T3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT30H60T1G

APTGT30H60T1G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT35H120T3G

APTGT35H120T3G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.