Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APTGT200H120G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2250626

APTGT200H120G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$163.748
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APTGT200H120G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APTGT200H120G.pdf
    2.APTGT200H120G.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SP6
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    890W
  • Iepakojums / lieta
    SP6
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistors
    No
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    14nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    Trench Field Stop
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    350µA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    280A
  • Konfigurācija
    Full Bridge Inverter

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APTGT200H120G” saistītie produkti.
APTGT200TL60G

APTGT200TL60G

Apraksts: POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200SK60TG

APTGT200SK60TG

Apraksts: IGBT 600V 290A 625W SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DA120D3G

APTGT200DA120D3G

Apraksts: IGBT 1200V 300A 1050W D3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT20DSK60T3G

APTGT20DSK60T3G

Apraksts: IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200H60G

APTGT200H60G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DA60TG

APTGT200DA60TG

Apraksts: IGBT 600V 290A 625W SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200SK120G

APTGT200SK120G

Apraksts: IGBT 1200V 280A 890W SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200SK120D3G

APTGT200SK120D3G

Apraksts: IGBT 1200V 300A 1050W D3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DA120G

APTGT200DA120G

Apraksts: IGBT 1200V 280A 890W SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DU60TG

APTGT200DU60TG

Apraksts: POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DU120G

APTGT200DU120G

Apraksts: POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DA170D3G

APTGT200DA170D3G

Apraksts: IGBT 1700V 400A 1250W D3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DA60T3AG

APTGT200DA60T3AG

Apraksts: MOD IGBT 600V 290A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT20DDA60T3G

APTGT20DDA60T3G

Apraksts: IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT20A60T1G

APTGT20A60T1G

Apraksts: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200SK170D3G

APTGT200SK170D3G

Apraksts: IGBT 1700V 400A 1250W D3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200A60TG

APTGT200A60TG

Apraksts: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200SK60T3AG

APTGT200SK60T3AG

Apraksts: MOD IGBT 600V 290A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DH120G

APTGT200DH120G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTGT200DH60G

APTGT200DH60G

Apraksts: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.