Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > APTGF50DH60T1G

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

1791666

APTGF50DH60T1G attēls

Microsemi

APTGF50DH60T1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

APTGF50DH60T1G
Ražotājs / zīmols

Microsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.APTGF50DH60T1G.pdf
2.APTGF50DH60T1G.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

600V
Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A
Piegādātāja ierīču komplekts

SP1
Sērija

-
Jauda - maks

250W
Iepakojums / lieta

SP1
Darbības temperatūra

-
NTC termistors

Yes
Montāžas tips

Chassis Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V
Ievade

Standard
IGBT tips

NPT
Detalizēts apraksts

IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1
Current - Collector Cutoff (Maks.)

250µA
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

65A
Konfigurācija

Asymmetrical Bridge

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

What is an embedded system?

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “APTGF50DH60T1G” saistītie produkti.

APTGF50A60T1G

APTGF50A60T1G

Apraksts: IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DH120T3G

APTGF50DH120T3G

Apraksts: MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DDA120T3G

APTGF50DDA120T3G

Apraksts: IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50H60T1G

APTGF50H60T1G

Apraksts: IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DA120TG

APTGF50DA120TG

Apraksts: IGBT 1200V 75A 312W SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50H120TG

Apraksts: IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DDA60T3G

APTGF50DDA60T3G

Apraksts: IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DH120TG

APTGF50DH120TG

Apraksts: IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50SK120TG

APTGF50SK120TG

Apraksts: IGBT 1200V 75A 312W SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50H60T2G

Apraksts: POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DH60TG

APTGF50DH60TG

Apraksts: IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50SK120T1G

APTGF50SK120T1G

Apraksts: IGBT 1200V 75A 312W SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50A120TG

APTGF50A120TG

Apraksts: IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DSK60T3G

APTGF50DSK60T3G

Apraksts: IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DSK120T3G

APTGF50DSK120T3G

Apraksts: MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DA120CT1G

APTGF50DA120CT1G

Apraksts: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50H60T3G

Apraksts: POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DU120TG

APTGF50DU120TG

Apraksts: IGBT MODULE NPT DUAL SP4

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50A120T1G

APTGF50A120T1G

Apraksts: IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APTGF50DA120T1G

APTGF50DA120T1G

Apraksts: IGBT 1200V 75A 312W SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.