Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > APTC80H29T1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3261573

APTC80H29T1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APTC80H29T1G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APTC80H29T1G.pdf
    2.APTC80H29T1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 1mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SP1
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Jauda - maks
    156W
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SP1
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2254pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • FET tips
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP1
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    15A

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APTC80H29T1G” saistītie produkti.
APTC90DAM60T1G

APTC90DAM60T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC90AM60SCTG

APTC90AM60SCTG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC90DAM60CT1G

APTC90DAM60CT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80TA15PG

APTC80TA15PG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80DA15T1G

APTC80DA15T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80DDA15T3G

APTC80DDA15T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG

Apraksts: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80AM75SCG

APTC80AM75SCG

Apraksts: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80DDA29T3G

APTC80DDA29T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80DSK15T3G

APTC80DSK15T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80H15T3G

APTC80H15T3G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC90DDA12T1G

APTC90DDA12T1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC90AM602G

APTC90AM602G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80TDU15PG

APTC80TDU15PG

Apraksts: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80DSK29T3G

APTC80DSK29T3G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80H15T1G

APTC80H15T1G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80A15T1G

APTC80A15T1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC80SK15T1G

APTC80SK15T1G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APTC90AM60T1G

APTC90AM60T1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.