Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT66F60L
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5393784APT66F60L attēlsMicrosemi

APT66F60L

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
25+
$20.14
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT66F60L
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    APT66F60L.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-264 [L]
  • Sērija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1135W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-264-3, TO-264AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    27 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT66F60L” saistītie produkti.
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Apraksts: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Apraksts: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Apraksts: IGBT 900V 117A 500W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Apraksts: IGBT 600V 198A 833W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Apraksts: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Apraksts: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Apraksts: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Apraksts: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Apraksts: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Apraksts: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Apraksts: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Apraksts: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

Apraksts: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.