Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - Taisngrieži - masīvi > APT60S20B2CTG

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6153955

APT60S20B2CTG attēls

Microsemi

APT60S20B2CTG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$10.09

30+

$8.277

120+

$7.47

510+

$6.258

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

APT60S20B2CTG
Ražotājs / zīmols

Microsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.APT60S20B2CTG.pdf
2.APT60S20B2CTG.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

900mV @ 60A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

200V
Piegādātāja ierīču komplekts

T-MAX™ [B2]
Ātrums

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

55ns
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-247-3 Variant
Citi vārdi

APT60S20B2CTGMI
APT60S20B2CTGMI-ND
Darba temperatūra - savienojums

-55°C ~ 150°C
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

26 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Schottky
Diode konfigurācija

1 Pair Common Cathode
Detalizēts apraksts

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 75A Through Hole TO-247-3 Variant
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1mA @ 200V
Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)

75A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “APT60S20B2CTG” saistītie produkti.

APT60N60SCSG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60N60BCSG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60M75L2FLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60S20SG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Ražotāji: Microsemi Corporation

Noliktavā

APT60M75JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60M75L2LLG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Apraksts: IGBT 600V 198A 833W TO264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT64GA90B2D30

Apraksts: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT66F60B2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60M80L2VRG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60M75JVFR

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT64GA90B

Apraksts: IGBT 900V 117A 500W TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT65GP60B2G

Apraksts: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60M75JLL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60M80JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT64GA90LD30

Apraksts: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT65GP60J

Apraksts: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT60S20SG/TR

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Ražotāji: Microsemi Corporation

Noliktavā

APT60S20BG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.