Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > APT50GN120L2DQ2G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1380536APT50GN120L2DQ2G attēlsMicrosemi

APT50GN120L2DQ2G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$19.04
10+
$17.307
25+
$16.009
100+
$14.711
250+
$13.413
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT50GN120L2DQ2G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 134A 543W TO264
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APT50GN120L2DQ2G.pdf
    2.APT50GN120L2DQ2G.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Testa stāvoklis
    800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    28ns/320ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    4495µJ (off)
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    543W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-264-3, TO-264AA
  • Citi vārdi
    APT50GN120L2DQ2GMI
    APT50GN120L2DQ2GMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT, Trench Field Stop
  • Vārtu iekasēšana
    315nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    150A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    134A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT50GN120L2DQ2G” saistītie produkti.
APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Apraksts: POWER MODULE - IGBT

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50DL120HJ

APT50DL120HJ

Apraksts: MOD DIODE 1200V SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

Apraksts: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

Apraksts: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GP60BG

APT50GP60BG

Apraksts: IGBT 600V 100A 625W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50DL60HJ

APT50DL60HJ

Apraksts: MOD DIODE 600V SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GP60LDLG

APT50GP60LDLG

Apraksts: IGBT 600V 150A 625W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GR120B2

APT50GR120B2

Apraksts: IGBT 1200V 117A 694W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

Apraksts: IGBT 600V 150A 625W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GF60JU2

APT50GF60JU2

Apraksts: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Apraksts: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GP60J

APT50GP60J

Apraksts: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GN60BG

APT50GN60BG

Apraksts: IGBT 600V 107A 366W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GN120B2G

APT50GN120B2G

Apraksts: IGBT 1200V 134A 543W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GR120L

APT50GR120L

Apraksts: IGBT 1200V 117A 694W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GR120JD30

APT50GR120JD30

Apraksts: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GP60JDQ2

APT50GP60JDQ2

Apraksts: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GF60JCU2

APT50GF60JCU2

Apraksts: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GF120LRG

APT50GF120LRG

Apraksts: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

Apraksts: IGBT 600V 107A 366W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.