Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT47F60J
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3093691APT47F60J attēlsMicrosemi

APT47F60J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
20+
$36.50
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT47F60J
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    APT47F60J.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ISOTOP®
  • Sērija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    540W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    27 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    49A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT47F60J” saistītie produkti.
APT47M60J

APT47M60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Apraksts: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT4F120K

APT4F120K

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

Apraksts: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Apraksts: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Apraksts: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT4M120K

APT4M120K

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Apraksts: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

Apraksts: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.