Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT37F50B
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2694120APT37F50B attēlsMicrosemi

APT37F50B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$9.47
30+
$7.767
120+
$7.009
510+
$5.873
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT37F50B
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APT37F50B.pdf
    2.APT37F50B.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 [B]
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 18A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    520W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    APT37F50BMI
    APT37F50BMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    5710pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    500V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 500V 37A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT37F50B” saistītie produkti.
APT39F60J

APT39F60J

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Apraksts: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Apraksts: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Apraksts: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT38F80B2

APT38F80B2

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Apraksts: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Apraksts: MOSFET N-CH 700V TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Apraksts: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Apraksts: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Apraksts: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.