Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > APT25GP120BDQ1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5595848APT25GP120BDQ1G attēlsMicrosemi

APT25GP120BDQ1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$13.69
10+
$12.445
30+
$11.512
120+
$10.578
270+
$9.645
510+
$9.023
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT25GP120BDQ1G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 69A 417W TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APT25GP120BDQ1G.pdf
    2.APT25GP120BDQ1G.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 25A
  • Testa stāvoklis
    600V, 25A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    12ns/70ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    500µJ (on), 440µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 [B]
  • Sērija
    POWER MOS 7®
  • Jauda - maks
    417W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    APT25GP120BDQ1GMI
    APT25GP120BDQ1GMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    PT
  • Vārtu iekasēšana
    110nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    90A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    69A

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT25GP120BDQ1G” saistītie produkti.
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Apraksts: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120S

APT25GR120S

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24M80B

APT24M80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GN120BG

APT25GN120BG

Apraksts: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Apraksts: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24M120L

APT24M120L

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
APT25GR120B

APT25GR120B

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24M120B2

APT24M120B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24F50S

APT24F50S

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Apraksts: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Apraksts: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Apraksts: IGBT 900V 72A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24M80S

APT24M80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Apraksts: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Apraksts: IGBT 900V 72A 417W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.