Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT24F50B
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1667034APT24F50B attēlsMicrosemi

APT24F50B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$7.46
30+
$5.991
120+
$5.459
510+
$4.42
1020+
$3.728
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT24F50B
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APT24F50B.pdf
    2.APT24F50B.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 [B]
  • Sērija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 11A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    335W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    APT24F50BMP
    APT24F50BMP-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    21 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3630pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    500V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 500V 24A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT24F50B” saistītie produkti.
APT24M80S

APT24M80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F120L

APT22F120L

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT23F60B

APT23F60B

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24M80B

APT24M80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Apraksts: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24F50S

APT24F50S

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24M120B2

APT24M120B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT23F60S

APT23F60S

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Apraksts: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GN120BG

APT25GN120BG

Apraksts: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Apraksts: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F80B

APT22F80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Apraksts: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F80S

APT22F80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20SCD65K

APT20SCD65K

Apraksts: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20SCD120S

APT20SCD120S

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT21M100J

APT21M100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F120B2

APT22F120B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F100J

APT22F100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT24M120L

APT24M120L

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.