Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT20N60BC3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2989411APT20N60BC3G attēlsMicrosemi

APT20N60BC3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT20N60BC3G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    APT20N60BC3G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247-3
  • Sērija
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 13.1A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    208W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2440pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    114nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    20.7A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT20N60BC3G” saistītie produkti.
APT20N60SC3G

APT20N60SC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F120L

APT22F120L

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT21M100J

APT21M100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20SCD120S

APT20SCD120S

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M45BVRG

APT20M45BVRG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 56A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F100J

APT22F100J

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M38SVRG

APT20M38SVRG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F80B

APT22F80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M22LVRG

APT20M22LVRG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M38SVFRG

APT20M38SVFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F80S

APT22F80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20SCD120B

APT20SCD120B

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M38BVRG

APT20M38BVRG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 67A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M22JVRU3

APT20M22JVRU3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M38BVFRG

APT20M38BVFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 67A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M22LVFRG

APT20M22LVFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M38SVRG/TR

APT20M38SVRG/TR

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20M45BVFRG

APT20M45BVFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 56A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT22F120B2

APT22F120B2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT20SCD65K

APT20SCD65K

Apraksts: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.